RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3425
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link