RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3124
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link