RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3220
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link