RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3413
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link