RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3507
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link