RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2675
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link