RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2601
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link