RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3910
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link