RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2490
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link