RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2709
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BL51264FN2001.Y16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link