RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
77
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
1549
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link