RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
3075
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link