RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3419
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link