RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
44
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2022
3066
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link