RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2022
2530
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link