RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2022
2277
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link