RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3156
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link