RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3142
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link