RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
4214
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link