RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3857
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link