RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
44
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3542
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link