RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1758
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link