RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
73
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
73
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1838
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link