RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2479
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link