RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
44
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3193
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link