RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
44
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3801
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link