RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
44
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3001
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link