RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2885
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link