RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
44
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2462
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link