RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3191
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link