RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2936
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link