RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
58
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2172
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link