RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
44
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1768
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link