RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
44
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2928
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link