RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
44
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3404
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link