RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
59
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
59
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1954
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link