RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
71
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1902
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link