RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
74
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
1825
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link