RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
53
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2285
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link