RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3068
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link