RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3068
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link