RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3480
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link