RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3098
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link