RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2186
2813
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link