RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3015
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link