RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3147
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link