RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2702
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link