RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3748
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link