RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
4177
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link