RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
75
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1763
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link