RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
66
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3306
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link